南亚科技请求具有掺杂物的阻隔结构的半导体元件及其制备办法专利供给一种半导体元件及其制备办法

  金融界2024年10月30日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南亚科技股份有限公司请求一项名为“具有掺杂物的阻隔结构的半导体元件及其制备办法”的专利，揭露号CN 118829204 A，请求日期为2023年11月。

  专利摘要显现，本揭露供给一种半导体元件及其制备办法。该半导体元件包含一基板和一榜首阻隔结构。该基板具有一单元区域和一周围区域。该榜首阻隔结构设置于该基板的该单元区域中。该榜首阻隔结构包含一榜首介电层和第二介电层该第二介电层经过该第介电层与该基板间离隔。该第二介电层掺杂有一掺杂物。